Wysiging soos op 19:34, 23 Januarie 2019 wysig Oesjaar (besprekings \| bydraes) Burokrate, Administrateurs 195 513 edits Word wakker Oesjaar! ← Ouer wysiging		Wysiging soos op 19:34, 23 Januarie 2019 wysig maak ongedaan Oesjaar (besprekings \| bydraes) Burokrate, Administrateurs 195 513 edits →‎Oorsig: Verbeter Nuwer wysiging →
Lyn 2: == Oorsig == Halfgeleiers het eienskappe wat baie ooreestem met ~~[[elektriese isolasie\|~~isolators]]. Die twee kategorieë van vastestowwe verskil hoofsaaklik in die opsig dat isolators 'n lae mobiliteit van ladingsdraers besit. In halfgeleiers is die ''aantal'' (vrye) ladingsdraers klein. Daar is 'n [[bandgaping]] tussen die [[energie]]ë wat [[elektron]]e moet verkry om om vrylik van atoom tot atoom te kan beweeg. In halfgeleiers verkry baie min elektrone voldoende termiese energie om oor die [[bandgaping]] te spring vanaf die [[valensieband]] tot in die [[geleidingsband]], wat nodig is vir elektrone om beskikbaar te wees om 'n elektriese stroom te [[Elektriese geleiding\|gelei]]. Om hierdie rede het suiwer halfgeleiers en isolators in die afwesigheid van toegepaste elektriese velde, soortgelyke weerstande. Vir halfgeleiers met kleiner bandgapings is dit egter moontlik om ander metodes buiten termiese energie te gebruik om hulle elektriese eienskappe te beheer. Halfgeleiers se [[intrinsieke halfgeleier\|intrinsieke]] elektriese eienskappe word dikwels permanent verander deur die invoeging van onsuiwerhede deur 'n [[dotering]]sproses. By benadering kan gesê word dat elke atoom van die onsuiwerheid 'n elektron of "gat" (later bespreek) byvoeg sodat elektrone vryelik kan beweeg. As 'n voldoende hoeveelheid onsuiwerheid bygevoeg word sal die halfgeleier [[elektrisiteit]] byna so goed as [[metaal\|metale]] gely. Afhangende van die soort onsuiwerheid sal 'n gedoteerde gebied op die halfgeleier meer elektrone of gate hê en word dienooreenkomstig [[N-tipe halfgeleier\|N-tipe]] of [[P-tipe halfgeleier]]s materiaal onderskeidelik genoem. [[P-n spervlak\|Sperlae tussen die N- en P-tipe halfgeleiers]] skep [[elektriese veld]]e wat veroorsaak dat elektrone en gate om van hulle af weg te beweeg, 'n eienskap wat krities is vir die werking van halfgeleiertoestelle. 'n Digtheidsverskil in die hoeveelheid onsuiwerhede lewer 'n klein elektriese veld in die gebied wat gebruik word om elektrone of gate wat nie in ewewig is nie te versnel.

Halfgeleier: Verskil tussen weergawes