Wysiging soos op 19:44, 23 Januarie 2019 wysig Oesjaar (besprekings \| bydraes) Burokrate, Administrateurs 195 576 edits →‎Ontwikkeling: Verbeter ← Ouer wysiging		Wysiging soos op 19:45, 23 Januarie 2019 wysig maak ongedaan Oesjaar (besprekings \| bydraes) Burokrate, Administrateurs 195 576 edits →‎Konstruksie: Verbeter Nuwer wysiging →
Lyn 24: Suiwer silikon en germanium is intrinsieke halfgeleiermateriaal en is swak geleiers by kamertemperatuur. Die geleidingsvermoë neem toe met temperatuurstyging: germanium is 'n goeie geleier bo ongeveer 100 ˚C en silikon bo ongeveer 200 ˚C. Die halfgeleierkomponente wat in die praktyk gebruik word, word egter vervaardig van ekstrinsieke halfgeleiermateriaal. Dit is suiwer halfgeleiermateriaal waarby gekontroleerde hoeveelhede onsuiwerhede gevoeg is, sodat die geleidingsvermoë by kamertemperatuur drasties toeneem en binne perke nie veel temperatuurafhanklikheid toon nie. Hierdie onsuiwerhede word doteerstowwe ("dope") genoem. Indien fosfor of arseen by suiwer silikon gevoeg word, ontstaan daar 'n oormaat elektrone en 'n N-tipe. silikon word verkry. Die oormaat elektrone ontstaan omdat fosfor of arseen een elektron meer in die valensring het as silikon en die ekstra elektron beweeg dan vry in die kristal rond, waardeur 'n elektriese stroom gedra kan word, Indien boor of aluminium by suiwer silikon gevoeg word, ontstaan daar 'n tekort aan elektrone en 'n P-tipe silikon word verkry. Die tekort aan elektrone ontstaan omdat boor of aluminium een elektron minder in die valensring het as silikon. Elektrone van naburige silikonatome kan hierdie "holtes" vul en so ŉ elektriese stroom dra. Feitlik alle halfgeleierkomponente bevat 'n kombinasie van N-tipe en P-tipe silikon, wat saamgevoeg word tot 'n PN-voegvlak.

Halfgeleier: Verskil tussen weergawes