Halfgeleier: Verskil tussen weergawes
Content deleted Content added
Addbot (besprekings | bydraes) |
Jcwf (besprekings | bydraes) |
||
Lyn 2:
== Oorsig ==
Halfgeleiers het eienskappe wat baie ooreestem met [[elektriese isolasie|isolators]]. Die twee kategorieë van vastestowwe verskil hoofsaaklik in die opsig dat isolators 'n
Halfgeleiers se [[intrinsieke halfgeleier|intrinsieke]] elektriese eienskappe word dikwels permanent verander deur die invoeging van onsuiwerhede deur 'n [[dotering]]sproses. By benadering kan gesê word dat elke atoom van die onsuiwerheid 'n elektron of "gat" (later bespreek) byvoeg sodat elektrone vryelik kan beweeg. As 'n voldoende hoeveelheid onsuiwerheid bygevoeg word sal die halfgeleier [[elektrisiteit]] byna so goed as [[metaal|metale]] gely. Afhangende van die soort onsuiwerheid sal 'n gedoteerde gebied op die halfgeleier meer elektrone of gate hê en word dienooreenkomstig [[N-tipe halfgeleier|N-tipe]] of [[P-tipe halfgeleier]]s materiaal onderskeidelik genoem. [[P-n spervlak|Sperlae tussen die N- en P-tipe halfgeleiers]] skep [[elektriese veld]]e wat veroorsaak dat elektrone en gate om van hulle af weg te beweeg, 'n eienskap wat krities is vir die werking van halfgeleiertoestelle. 'n Digtheidsverskil in die hoeveelheid onsuiwerhede lewer 'n klein elektriese veld in die gebied wat gebruik word om elektrone of gate wat nie in ewewig is nie te versnel.
|